主讲人： 司梦维 副教授, 上海交通大学

题   目：基于氧化物半导体器件的逻辑与存储单片三维集成

日   期：2023 年 03 月 22 日   时 间：10:00-11:00

地   点：T5406

Abstract：

当前集成电路技术面临着摩尔定律终结带来的算力墙、存储器、功耗墙等一系列瓶颈问题，将氧化物半导体技术与硅基微电子集成电路技术相融合，实现单片三维集成，有望为集成电路性能提升提供新的技术途径。本次报告将介绍利用原子层沉积技术实现高性能氧化物半导体器件与单片三维集成电路的研究进展。

主讲人简介：

司梦维，上海交通大学电子信息与电气工程学院电子工程系副教授，国家青年人才计划获得者。2012年毕业于上海交通大学，获电子科学与技术专业学士学位。2018年获普度大学电子与计算机工程专业博士学位。2018年至2021年在普度大学从事博士后研究。2021年加入上海交通大学电子工程系，现任长聘教轨副教授、博士生导师。主要研究方向包括集成电路工艺、半导体材料与器件、铁电材料与铁电器件、氧化物半导体、纳米电子器件、原子层沉积等。在国际主流期刊会议发表论文100余篇，其中ESI高被引论文5篇（其中第一作者3篇），谷歌学术引用超过4000次。以第一作者在Nature Nanotechnology与Nature Electronics发表文章共3篇。在半导体器件领域重要会议IEDM发表论文18篇、VLSI发表论文10篇。成果被知名媒体Science Daily、DeepTech等评论报道30余次。在国际会议做特邀报告与口头报告20余次。