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二维纳米材料的电子性质调控及器件设计
发布时间:2021-07-29 16:39:40 1585

演讲人Speaker: 金浩 深圳大学

题目Title:  二维纳米材料的电子性质调控及器件设计

时间Date: 2021 年 8 月 4  日       Time:10:00-11:00

地点Venue:理学楼G614会议室

 

内容摘要Abstract:

随着晶体管尺寸变得越来越小,传统的硅基电子器件已经接近理论极限,如何进一步提高芯片的集成度和性能是当前的研究热点。本次报告将以二维纳米材料为出发点,详细介绍应力、电场等外部手段对二维材料电子性质的调控机制,分析低维纳米器件中肖特基势垒、门电压、几何结构等因素对器件输运性质的影响,阐明器件设计所应遵循的相应准则,并探讨低维纳米器件在光电探测、自旋阀、场效应管等方面的应用。

 

个人简介(About the speaker):

金浩,深圳大学物理与光电工程学院助理教授,博士毕业于加拿大不列颠哥伦比亚大学,主要从事新兴二维材料及低维纳米器件的理论研究工作,瞄准3纳米以下新型电子器件技术发展前沿,围绕二维半导体及其他低维电子材料研究方向,开展以低维电子系统的纳米结构、电子及光学性质、量子输运特性为核心的物理基础及量子器件研究工作。先后主持国家自然科学基金、广东省自然科学基金等项目,发表SCI文章50余篇,论文被引用1000余次,多篇论文入选ESI高被引以及热点文章,2020年获英国物理学会(IOP)颁发的“中国高被引论文奖”。