哈尔滨工业大学（深圳）学术讲座

演讲人Speaker： 武红磊    

题目Title: 超宽禁带半导体一氮化铝晶体制备及性质研究

时间Date：   2025年 7 月 15  日       Time：15：00-16：00

地点Venue：  G栋 514 室

主持人Host：孙华锐（前沿学部理学院）

 （有学术小票）

内容摘要Abstract： 

围绕超宽禁带半导体-氮化铝晶体物理气相传输法（PVT）制备，研究大尺寸氮化铝单晶的关键生长技术；采用自主设计的钨系统高性能生长装置，以自行制备的氮化铝晶体为籽晶，分析氮化铝晶体的同质生长模式、扩径机理、生长面极性影响等，实现大尺寸氮化铝晶体的物PVT制备；介绍基于氮化铝晶体的光电器件和电子器件验证工作。

 个人简介(About the speaker):

武红磊，深圳大学教授、博士生导师、优秀学者，射频异质异构集成全国重点实验室副主任，物理与光电工程学院副院长，广东重大科技项目首席科学家，主要从事超宽禁带半导体-氮化铝晶体的制备及光电/电子器件研究。主持自然科学基金、重点研发计划等16项科研项目；设计了国内首台氮化铝晶体专用生长装置，形成了具有知识产权保护的氮化铝晶体生长技术体系，实现了大尺寸、高质量氮化铝晶体制备及器件验证；发表论文70余篇，申请专利30余项。