哈尔滨工业大学（深圳）学术讲座

演讲人Speaker：欧欣，中科院上海微系统与信息技术研究所研究员

题目Title: 晶圆级异质集成材料与器件技术

时间Date：2024年 11 月8 日       Time：14：00-15：30

地点Venue：T2栋 306室

主持人Host：孙华锐（理学院）

内容摘要Abstract： 

异质集成可以突破单一半导体能带结构和物理特性的限制，已成为信息器件技术发展的重要趋势, 一方面可以制造频谱更宽阔、功能更丰富、性能更优异的微电子和光电子器件，另一方面可以实现分立器件的单芯片集成，推动电子系统向小型化、集成化方向发展。 但高质量异质集成材料制备及异质界面对器件的多场调控还面临诸多关键科学问题。本报告面向化合物半导体、宽禁带半导体材料及各种功能薄膜与硅及碳化硅衬底的晶圆级异质集成问题展开，重点介绍独立于传统薄膜生长方法之外的一种更为灵活的单晶薄膜制备与异质集成技术——智能剥离与转移技术。结合实验和理论模拟建立异质集成材料制备的物理模型和工艺方法。介绍课题组在新型异质集成XOI材料及器件，如 III-VOI 、SiCOI、LNOI、LTOI、GaNOI、GaOOI等研究进展，通过建立异质材料制备技术体系，为5G时代高功率电子器件、高速光子器件和高频、大带宽射频声学器件提供异质集成材料平台和器件方案。

个人简介(About the speaker):

欧欣，中科院上海微系统与信息技术研究所，二级研究员，硅基材料与集成器件实验室主任，先后入选多项人才项目。作为首席承担基金委重大项目、国家重点研发计划等，面向5G声、光、电核心芯片对异质集成材料的重要需求，发展“万能离子刀”异质集成XOI材料与器件技术，成功开发出多种异质晶圆制备技术并应用于射频、光电和功率芯片，先后发表 SCI/EI 论文 200 余篇，其中 130 篇以第一/通讯作者发表在 Nature（2）、 Nat. Common.（3）、PRL、Adv. Mater.、Nano Lett.（2）、Light（3）、Optica（2）、Appl. Phys. Rev.、IEEE EDL等著名期刊及IEEE顶会18篇论文包括IEDM（5）、IEEE-IUS（10）IEEE-MEMS（4）、IEEE-IMS（1）等，先后申请专利230余件（第一发明人166件），授权 100 余件，成果转化 40 余件，异质集成单一成果转化超过3000万元。先后获得中国电子学会技术发明一等奖、北京市科技进步一等奖、中国产学研合作创新奖、中国光学十大进展、全国颠覆性创新技术大赛总决赛优胜奖，国际IEEE-MTT微波奖、国际离子束与材料改性杰出贡献奖IBMM Prize等荣誉。